全球芯片科研版图揭晓：中国领跑论文量与影响力双赛道
ETO研究年鉴数据显示，2018-2023年全球芯片设计与制造领域共发表47.5万篇论文，中国学者贡献占比34%，数量超过美国（15%）、印度（8.4%）和日本（6.4%）总和。在高影响力论文中，50%由中国机构主导，美国以22%位列第二。尽管该领域年增长率稳定在8%，但远低于同期人工智能研究（年均增长21%），凸显芯片基础研究“厚积薄发”的特性。
全球十大芯片研究机构中，九席来自中国，中国科学院以1.4万篇论文居首。法国国家科研中心成为前十中唯一非亚洲机构。值得注意的是，榜单仅统计英文论文，中文文献及企业未公开研究未纳入——后者恰是芯片产业核心阵地，这使得研究成果与产业转化之间仍存“数据鸿沟”。
高引用论文显示，石墨烯、MXenes等超薄二维材料成为研究焦点，其原子级厚度有望解决芯片散热与能耗瓶颈。过渡金属化合物研究同样活跃，科学家通过调控铁磁材料特性探索新型半导体架构。ETO科学地图指出，这些突破或为下一代量子芯片奠定基础。
Emerging Technology Observatory
via Ziyu🤕
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ETO研究年鉴数据显示，2018-2023年全球芯片设计与制造领域共发表47.5万篇论文，中国学者贡献占比34%，数量超过美国（15%）、印度（8.4%）和日本（6.4%）总和。在高影响力论文中，50%由中国机构主导，美国以22%位列第二。尽管该领域年增长率稳定在8%，但远低于同期人工智能研究（年均增长21%），凸显芯片基础研究“厚积薄发”的特性。
全球十大芯片研究机构中，九席来自中国，中国科学院以1.4万篇论文居首。法国国家科研中心成为前十中唯一非亚洲机构。值得注意的是，榜单仅统计英文论文，中文文献及企业未公开研究未纳入——后者恰是芯片产业核心阵地，这使得研究成果与产业转化之间仍存“数据鸿沟”。
高引用论文显示，石墨烯、MXenes等超薄二维材料成为研究焦点，其原子级厚度有望解决芯片散热与能耗瓶颈。过渡金属化合物研究同样活跃，科学家通过调控铁磁材料特性探索新型半导体架构。ETO科学地图指出，这些突破或为下一代量子芯片奠定基础。
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