Samsung Electronics начал массовое производство оперативной памяти типа DDR5 DRAM с использованием самого передового в отрасли 12-нанометрового технологического процесса. В сравнении с предыдущим поколением новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung позволяет снизить энергопотребление на 23%, повысив при этом производительность на 20%. Обладая большей энергоэффективностью и мощностью, новая DRAM оптимизирует вычисления следующего поколения, включая приложения искусственного интеллекта.

https://www.koreaherald.com/view.php?ud=20230518000620

#Новости #Корея #Экономика #Технологии #IT #Samsung #Прогресс #DRAM #Чипы

SK hynix сообщила об операционном убытке в 1,79 триллиона вон (1,31 миллиарда долларов) по итогам третьего квартала, однако размер дефицита сократился за счёт сегмента дорогостоящих и высокопроизводительных чипов памяти HBM3 и DRAM DDR5. Чистый убыток достиг 2,18 трлн вон. Объём продаж составил 9,6 трлн вон, что на 17,5% меньше, чем в прошлом году.
SK hynix фиксирует операционные убытки с четвёртого квартала 2022 года на фоне падения спроса на чипы памяти. Его совокупный объём за текущий год достиг 8,76 трлн вон.
В компании рассчитывают, что годовые темпы роста на чипы для серверов искусственного интеллекта в течение следующих пяти лет составит более 40%, в то время как рынок HBM, как ожидается, вырастет на 60–80%. Предполагается, что в 2024 г. на продукцию HBM придётся около 10% от общего рынка памяти DRAM. Как результат,
SK hynix сосредоточится на дорогостоящей продукции, переведя свои производственные процессы на технологию 1b нанометров, пятое поколение 10-нм техпроцесса, и увеличив инвестиции в HBM. Также в следующем году будут увеличены капитальные расходы, которые в т.г. были значительно сокращены примерно на 50% (в 2022 г. 19 трлн вон). Однако это не касается сегмента флэш-памяти NAND, запасы которой по-прежнему находятся на высоком уровне.

https://www.koreatimes.co.kr/www/tech/2023/10/133_361933.html

#Новости #Корея #Экономика #SKHynix #Квартал #Продажи #Убыток #Чипы #DRAM