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【路透社：韩国海力士改造中国无锡芯片厂计划因美国反对而遇险】

知情消息人士告诉路透，海力士对旗下一中国大型工厂的改造计划面临危险，‌因为美国官员不希望该过程中使用的先进设备进入中国。海力士原本希望通过计划提高内存芯片的生产效率。

三位知情人士表示，‌海力士的生产计划要求公司以荷兰 ASML 的最新的 EUV 光刻机为无锡厂的一个量产设施进行升级。

美国过去曾表示反对，‌理由是将这类先进工具运至中国可能被用于强化该国的军事力量。

白宫一位高级官员对此报道不予置评，但他重申拜登政府坚持防止中方利用美国及其盟国技术开发尖端半导体这一方针不会改变。

海力士约半数的内存芯片产自无锡工厂，占全球内存总产量的15%。路透社报道称，海力士如遭美方阻拦无法使用EUV光刻机，节省成本和提高生产效率的目标则很难达成。(路透社)

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【美光解散上海DRAM设计团队，并挑选核心员工技术移民美国】

集微网消息，1月25日，业内有消息指出，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，‌并挑选了40多位核心研发人员提供移民技术美国的资格。

针对上述消息，集微网在向多位美光前员工与在职员工求证后获悉，‌美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。除了该团队，美光上海研发中心还包括销售、测试等多个部门。另外，‌美光目前在西安的工厂也不会发生其他异动，该厂主要开展集成电路装配与测试以及DRAM模块制造。

美光员工告诉集微网，‌上海的DRAM设计团队的解散将于今年内完成，公司提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可以携带家属一同移民至美国，目前仍无法确定有多少员工会选择移民。

据一位前美光员工透露，‌美光的DRAM设计团队此前有一大波人员流失至国内的本土IC设计公司和存储大厂。

某半导体行业高管评论称，‌美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，虽然目前国内的DRAM企业数量相对较少，但未来几年内或有可能涌现出新的几家DRAM制造商，‌而且现有的DRAM企业也正求贤若渴，美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。

市场调研公司Counterpoint报告显示，‌三星以41.5%的市场份额居市场首位，SK 海力士市占率29.3%排第二，美光则为23.4%居第三，前三大厂合计共占DRAM市场94.2%。(集微网)